IXFA110N15T2
IXFP110N15T2
110
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
350
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
100
90
80
70
60
50
V GS = 15V
10V
9V
8V
7V
6V
300
250
200
150
V GS = 15V
10V
8V
7V
40
30
100
20
10
0
5V
50
0
6V
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
110
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
3.4
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 55A Value
vs. Junction Temperature
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
V GS = 15V
10V
9V
8V
7V
6V
3.0
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
0.2
V GS = 10V
I D = 110A
I D = 55A
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
3.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
5.0
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 55A Value
vs. Drain Current
120
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
4.5
4.0
3.5
3.0
V GS = 10V
15V - - - -
T J = 175oC
110
100
90
80
70
60
2.5
2.0
1.5
50
40
30
1.0
0.5
T J = 25oC
20
10
0
0
50
100
150
200
250
300
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料
IXFA12N50P MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK
IXFA130N10T2 MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA
IXFA130N10T MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
IXFA16N50P MOSFET N-CH 500V 16A D2-PAK
IXFA230N075T2-7 MOSFET N-CH 75V 230A TO-263-7
IXFA230N075T2 MOSFET N-CH 75V 230A TO-263AA
IXFA3N120 MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
IXFA3N80 MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263
相关代理商/技术参数
IXFA12N50P 功能描述:MOSFET 500V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFA130N10T 功能描述:MOSFET 130 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFA130N10T2 功能描述:MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFA14N60P 功能描述:MOSFET 600V 14A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFA14N60P3 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFA16N50P 功能描述:MOSFET 500V 16A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFA16N50P3 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFA16N60P3 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 600V 16A TO-263AA